[发明专利]一种半导体器件的形成方法在审
| 申请号： | 202211262061.6 | 申请日： | 2022-10-14 |
| 公开（公告）号： | CN115565951A | 公开（公告）日： | 2023-01-03 |
| 发明（设计）人： | 苏鸿斌 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8234 | 分类号： | H01L21/8234 |
| 代理公司： | 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 | 代理人： | 陈万青;蒋雅洁 |
| 地址： | 230601 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本公开实施例提供了一种半导体器件的形成方法，该形成方法包括：提供衬底，衬底上包括第一器件区域和第二器件区域；第一器件区域与第二器件区域的掺杂类型不同；形成覆盖第一器件区域和第二器件区域的第一栅极堆叠层；第一栅极堆叠层包括沿背离衬底方向依次层叠的第一功函数金属层和第一阻挡层；在第一栅极堆叠层上形成第一掩膜图形，第一掩膜图形至少覆盖第一器件区域并且至少暴露第二器件区域，第一掩膜图形沿垂直于衬底方向具有第一尺寸，第一掩膜图形暴露出的区域在平行于衬底的方向上具有第二尺寸，第二尺寸的最小值与第一尺寸的比值大于10；基于第一掩膜图形，采用刻蚀‑清洗的循环工艺去除第一掩膜图形暴露出的区域上的第一栅极堆叠层。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 形成 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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