[发明专利]用于获取穿透性台柱的方法和刻蚀结构在审
| 申请号： | 202211254268.9 | 申请日： | 2022-10-13 |
| 公开（公告）号： | CN115547813A | 公开（公告）日： | 2022-12-30 |
| 发明（设计）人： | 张龙;徐大斌 | 申请（专利权）人： | 扬州国宇电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/027;H01L21/3065 |
| 代理公司： | 南京源点知识产权代理有限公司 32545 | 代理人： | 黄启兵 |
| 地址： | 225000 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明属于半导体制造技术领域，提供了一种用于获取穿透性台柱的方法和刻蚀结构，其中方法包括：S1、在Si外延衬底的正面和背面同时生长一层ONO层，分别为正面ONO层和背面ONO层；S2、在正面ONO层上形成一负胶层，所述负胶层位于所述正面ONO层上表面周缘；S3、在所述正面ONO层上得到台柱刻蚀图形；S4、对所述台柱刻蚀图形进行刻蚀，从上至下依次刻穿正面ONO层和Si外延衬底，形成穿透性台柱；S5、去除背面ONO层。本发明首先在晶圆背面也生长了一层ONO层，借助ICP刻蚀设备Si与SiO2间选择比高的特性，实现了增加晶圆背面支撑的应力的作用；其次晶圆边缘有光刻胶掩蔽形成一圈负胶层，改善了刻蚀后晶圆边缘被刻净，出现崩边导致碎片的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 获取 穿透性 台柱 方法 刻蚀 结构 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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