[发明专利]一种光学芯片衬底结构及其制备方法在审
| 申请号： | 202211247027.1 | 申请日： | 2022-10-12 |
| 公开（公告）号： | CN115685600A | 公开（公告）日： | 2023-02-03 |
| 发明（设计）人： | 欧欣;陈阳;黄凯 | 申请（专利权）人： | 上海新硅聚合半导体有限公司 |
| 主分类号： | G02F1/035 | 分类号： | G02F1/035;G02F1/03;G02F1/35;G02B6/132;G02B6/122;H01L21/762;H01L27/12 |
| 代理公司： | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人： | 方秀琴 |
| 地址： | 201800 上海*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及芯片技术领域，本发明公开了一种光学芯片衬底结构及其制备方法。该光学芯片衬底结构包括依次层叠的衬底结构、压电薄膜层、波导层和硅薄膜层；该波导层包括沿第一方向交替排列的波导和隔离结构；该第一方向为垂直于该衬底结构的轴线的方向；该波导的材料包括氮化硅；该压电薄膜层的材料为铌酸锂。该光学芯片衬底结构可实现铌酸锂光学芯片衬底结构与硅光子芯片的集成，从而利用不同材料的性能优点，提升芯片的性能和降低芯片制备的成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 光学 芯片 衬底 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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