[发明专利]一种晶圆尺寸2H-MoTe2

摘要

本发明公开了一种晶圆尺寸2H‑MoTe2及分子束外延制备方法，在GaN衬底上，通过预先沉积Te缓冲层，并保持衬底温度和腔体真空度，立即向生长有Te缓冲层的GaN衬底沉积Te和Mo生长MoTe2，分别控制Te蒸发源在Te缓冲层上生长MoTe2的蒸发温度和Mo蒸发源的功率，来精确调控Te蒸发源和Mo蒸发源的蒸发速率，实现了晶圆尺寸、原子级平整、厚度均匀可控的外延二维半导体2H‑MoTe2的制备。本发明能够实现对2H‑MoTe2层厚的精准控制，克服了传统制备方法的样品尺寸小、纯净度低和多相混合及层厚难以调控的缺点，满足了芯片领域的器件阵列化和集成化的基本要求。