[发明专利]半导体工艺方法在审
| 申请号： | 202211224967.9 | 申请日： | 2022-10-09 |
| 公开（公告）号： | CN115291481A | 公开（公告）日： | 2022-11-04 |
| 发明（设计）人： | 刘志成 | 申请（专利权）人： | 广州粤芯半导体技术有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/40 | 分类号： | G03F7/40;H01L21/027 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 卢炳琼 |
| 地址： | 510700 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体工艺方法，包括步骤：提供衬底，于衬底上形成负性光刻胶层；对负性光刻胶层进行曝光；于碱性氛围下对曝光后的负性光刻胶层进行后烘，在完成后烘的过程中利用碱性氛围中的碱性介质中和负性光刻胶层顶部的部分光致酸，以使得负性光刻胶层顶部和底部中的光致酸实现平衡。本发明经改善的工艺流程，可以中和光刻胶顶部于曝光后产生过多的光致酸，从而达到光致酸形貌于光刻胶层顶部和底部的平衡，由此可以使得光刻胶层顶部和底部尺寸趋于一致，减轻乃至消除显影后光刻胶形貌出现T‑top（T型图形）现象，提高光刻图形精度。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 工艺 方法 | ||
【主权项】：
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