[发明专利]一种基于并联子器件的GaN Fin-like HEMT建模方法在审
| 申请号： | 202211221909.0 | 申请日： | 2022-10-08 |
| 公开（公告）号： | CN115630603A | 公开（公告）日： | 2023-01-20 |
| 发明（设计）人： | 赵子越;马晓华;卢阳;易楚朋;王语晨;刘文良;周瑞琪 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | G06F30/392 | 分类号： | G06F30/392;H01L29/778 |
| 代理公司： | 西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙) 61230 | 代理人： | 王丹 |
| 地址： | 710071*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种基于并联子器件的GaN Fin‑like HEMT建模方法，通过获取GaN Fin‑like HEMT的结构信息从而确定器件包含的栅下区域；确定本征参数对应的本征电路结构；将刻蚀区域的本征电路结构与非刻蚀区域的本征电路结构进行并联，以构建GaN Fin‑like HEMT的本征等效电路模型，从而提升模型对器件本征参数非线性特性的表征精度，之后对本征等效电路模型进行简化，以提高电路分析效率，利用简化模型分析GaN Fin‑like HEMT的本征参数，获得分析结果。因此本发明实现对GaN Fin‑like HEMT的本征参数的准确拟合，提供给研发人员从而降低研发周期以及投入成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 并联 器件 gan fin like hemt 建模 方法 | ||
【主权项】：
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