[发明专利]一种基于并联子器件的GaN Fin-like HEMT建模方法

权利要求书

1.一种基于并联子器件的GaN Fin-like HEMT建模方法，其特征在于，包括：

步骤1：获取GaN Fin-like HEMT的结构信息；

步骤2：从所述结构信息中确定器件包含的栅下区域；

其中，所述栅下区域为栅极所覆盖的区域，所述栅下区域分为刻蚀区域以及非刻蚀区域，所述刻蚀区域与所述非刻蚀区域的刻蚀工艺不同；

步骤3：确定区别刻蚀区域与非刻蚀区域的本征参数对应的本征电路结构；

步骤4：将所述刻蚀区域的本征电路结构与非刻蚀区域的本征电路结构进行并联，以构建所述GaN Fin-like HEMT的本征等效电路模型；

步骤5：对所述本征等效电路模型进行简化，获得简化电路模型；

步骤6：利用所述简化模型分析所述GaN Fin-like HEMT的本征参数，获得分析结果，以辅助设计人员参考所述分析结果，决定是否修改所述GaN Fin-like HEMT的结构。

2.根据权利要求1所述的一种基于并联子器件的GaN Fin-like HEMT建模方法，其特征在于，所述步骤3包括：

步骤31：确定所述刻蚀区域的等效电路以及所述非刻蚀区域的等效电路；

其中，所述刻蚀区域的等效电路与所述非刻蚀区域的等效电路的结构相同；

步骤32：对所述刻蚀区域的等效电路以及所述非刻蚀区域的等效电路中的电路参数进行对比分析，确定区别所述刻蚀区域与所述非刻蚀区域的本征参数；

步骤33：将所述刻蚀区域仅包含本征参数的本征电路结构与非刻蚀区域仅包含本征参数的本征电路结构进行并联，以构建所述GaN Fin-like HEMT的本征等效电路模型。

3.根据权利要求1所述的一种基于并联子器件的GaN Fin-like HEMT建模方法，其特征在于，所述步骤33包括：

步骤331：将所述刻蚀区域仅包含本征参数的本征电路与非刻蚀区域仅包含本征参数的本征电路进行并联，以构建所述GaN Fin-like HEMT的等效电路模型；

步骤332：获取设计GaN Fin-like HEMT的实际所需尺寸；

其中，所述实际所需尺寸包括总栅宽尺寸、刻蚀区域的尺寸以及非刻蚀区域的尺寸；

步骤333：确定刻蚀区域的尺寸与总栅宽尺寸的反比例值，并按照反比例值对所述等效电路结构中所述刻蚀区域的本征参数进行缩放；

步骤334：确定非刻蚀区域的尺寸与总栅宽尺寸的正比例值，并按照正比例值对所述等效电路结构中所述非刻蚀区域的本征参数进行缩放，获得GaN Fin-like HEMT的本征等效电路模型。