[发明专利]太赫兹波探测器及太赫兹波的探测方法在审
| 申请号： | 202211219993.2 | 申请日： | 2022-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN115632083A | 公开（公告）日： | 2023-01-20 |
| 发明（设计）人： | 秦华;屠睿;周奇;靳琳 | 申请（专利权）人： | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 |
| 主分类号： | H01L31/112 | 分类号： | H01L31/112;H01L31/0224;G01J1/42 |
| 代理公司： | 南京利丰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 32256 | 代理人： | 赵世发 |
| 地址： | 215123 江苏省苏州*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种太赫兹波探测器及太赫兹波的探测方法。所述太赫兹波探测器包括半导体结构、第一电极、第二电极、第一欧姆接触结构、第二欧姆接触结构、第一天线和第二天线：所述第一天线和第二天线间隔设置在所述半导体结构上，并均与所述半导体结构形成肖特基接触；所述第一欧姆接触结构、第二欧姆接触结构分别对应设置在所述第一天线、第二天线与半导体结构之间，所述第一欧姆接触结构及第二欧姆接触结构均与半导体结构形成欧姆接触且分别与第一天线、第二天线电连接，所述第一电极、第二电极分别与第一天线、第二天线配合。本发明提供的太赫兹波的探测方法，采用偏压工作模式进行太赫兹波的探测，偏压工作模式增加了器件的稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 赫兹 探测器 探测 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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