[发明专利]太赫兹波探测器及太赫兹波的探测方法

权利要求书

1.一种太赫兹波探测器，其特征在于包括半导体结构、第一电极、第二电极、第一欧姆接触结构、第二欧姆接触结构、第一天线和第二天线：

所述半导体结构包括层叠设置的沟道层和势垒层，所述半导体结构中形成有载流子沟道；

所述第一天线和第二天线间隔设置在所述半导体结构上，并均与所述半导体结构形成肖特基接触；

所述第一欧姆接触结构、第二欧姆接触结构分别对应设置在所述第一天线、第二天线与半导体结构之间，所述第一欧姆接触结构及第二欧姆接触结构均与半导体结构形成欧姆接触且分别与第一天线、第二天线电连接；

所述第一电极、第二电极分别与第一天线、第二天线配合，并且所述第一电极及第二电极与半导体结构配合形成高迁移率场效应晶体管，所述第一电极及第二电极与载流子沟道形成电气连接。

2.根据权利要求1所述的太赫兹波探测器，其特征在于：所述第一天线、第二天线分别对应将所述第一欧姆接触结构、第二欧姆接触结构完全掩盖，所述第一天线、第二天线分别与所述半导体结构对应形成“场板”结构；

和/或，所述第一欧姆接触结构的第一端与第一天线的二端之间具有第一距离，所述第二欧姆接触结构的第三端与第二天线的第四端之间的第二距离，所述第一天线的第二端与第二天线的第四端之间的第三距离，所述第一端和第二端为指向第二天线的一端，所述第三端和第四端为指向第一天线的一端。

3.根据权利要求2所述的太赫兹波探测器，其特征在于：所述第一天线/第二天线的边缘区域与所述半导体结构形成肖特基接触，且与所述半导体结构形成所述“场板”结构，所述第一天线/第二天线的中间区域将所述第一欧姆接触结构/第二欧姆接触结构完全掩盖且与所述第一欧姆接触结构/第二欧姆接触结构电连接，其中，所述边缘区域环绕所述中间区域分布。

4.根据权利要求1所述的太赫兹波探测器，其特征在于：所述第一电极、第二电极间隔设置在所述半导体结构上，所述第一电极、第二电极与所述载流子沟道电连接。

5.根据权利要求1所述的太赫兹波探测器，其特征在于：所述第一电极、第二电极分别与所述第一天线、第二天线对应形成电连接；

优选的，所述第一电极、第二电极分别与所述第一天线、第二天线设置为一体。

6.根据权利要求1所述的太赫兹波探测器，其特征在于：所述第一天线与第二天线对称设置。

7.根据权利要求1所述的太赫兹波探测器，其特征在于：所述第一电极和第二电极中的一者作为源极、另一者作为漏极。

8.一种太赫兹波探测器，其特征在于包括半导体结构、第一电极、第二电极、第三电极、第一欧姆接触结构、第二欧姆接触结构、第一天线、第二天线和第三天线：

所述半导体结构包括层叠设置的沟道层和势垒层，所述半导体结构中形成有载流子沟道；

所述第一电极、第二电极和第三电极间隔设置在所述半导体结构上，并与半导体结构配合形成高迁移率场效应晶体管结构，所述第一电极及第二电极与载流子沟道形成电气连接；

所述第一天线、第二天线、第三天线间隔设置在半导体结构上，并均与所述半导体结构形成肖特基接触，

所述第一欧姆接触结构、第二欧姆接触结构分别对应设置在所述第一天线、第二天线与半导体结构之间，所述第一欧姆接触结构及第二欧姆接触结构均与半导体结构形成欧姆接触且分别与第一天线、第二天线电连接；

所述第一天线、第二天线、第三天线分别与所述第一电极、第二电极和第三电极配合，以及，所述第一天线还与第三天线电连接。