[发明专利]器件芯片的制造方法在审
| 申请号： | 202211190045.0 | 申请日： | 2022-09-28 |
| 公开（公告）号： | CN115954326A | 公开（公告）日： | 2023-04-11 |
| 发明（设计）人： | 小川雄辉;渡部晃司;桥本一辉;青柳元 | 申请（专利权）人： | 株式会社迪思科 |
| 主分类号： | H01L21/78 | 分类号： | H01L21/78;H01L21/56;H01L21/683;B23K26/38 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 乔婉;于靖帅 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供器件芯片的制造方法，进行被加工物的适当的分割。该器件芯片的制造方法将被加工物分割而制造器件芯片，该被加工物在正面侧具有构成器件的层叠体，该层叠体设置于由多条交叉的分割预定线划分的多个区域，该器件芯片的制造方法包含如下步骤：支承部件固定步骤，在被加工物的正面侧固定支承部件；背面磨削步骤，对被加工物的背面侧进行磨削；支承部件去除步骤，将支承部件从被加工物的正面侧去除；加工槽形成步骤，从被加工物的正面侧沿着分割预定线照射对于层叠体具有吸收性的波长的激光束，沿着分割预定线形成将层叠体断开的加工槽；树脂层形成步骤，在被加工物的正面侧形成树脂层；以及分割步骤，沿着分割预定线将被加工物和树脂层分割。 | ||
| 搜索关键词： | 器件 芯片 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
