[发明专利]高密度互连转接板、封装结构及其制作方法在审
| 申请号： | 202211189675.6 | 申请日： | 2022-09-28 |
| 公开（公告）号： | CN115547843A | 公开（公告）日： | 2022-12-30 |
| 发明（设计）人： | 李斌;吴过 | 申请（专利权）人： | 上海为旌科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/48 | 分类号： | H01L21/48;H01L23/498;H01L23/535;H01L23/538 |
| 代理公司： | 上海硕力知识产权代理事务所(普通合伙) 31251 | 代理人： | 童素珠 |
| 地址： | 201306 上海市浦东新区中国（上*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及芯片封装制造领域，公开了一种高密度互连转接板、封装结构及其制作方法。高密度互连转接板的制作方法，包括：将多个单颗硅转接板转移至第一临时键合晶圆上；使用填料，对不同所述硅转接板之间的间隙进行填充；在第二临时键合晶圆上制作互连线路和焊接垫；将所述硅转接板上与所述第一临时键合晶圆相对的一面贴到所述第二临时键合晶圆上；取下所述第一临时键合晶圆；在非硅区域制作连接孔；通过重布线技术布置完成所需要的金属互连线及所需要的层数至所述焊接垫的位置，以形成混合转接板。通过在有机介质的重布线层上嵌入不带硅通孔的局部硅转接板，实现了一种既进行高密度互连又进行次高密度互连的转接板，降低了成本。 | ||
| 搜索关键词： | 高密度 互连 转接 封装 结构 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
