[发明专利]高密度互连转接板、封装结构及其制作方法

说明书

本发明涉及芯片封装制造领域，公开了一种高密度互连转接板、封装结构及其制作方法。高密度互连转接板的制作方法，包括：将多个单颗硅转接板转移至第一临时键合晶圆上；使用填料，对不同所述硅转接板之间的间隙进行填充；在第二临时键合晶圆上制作互连线路和焊接垫；将所述硅转接板上与所述第一临时键合晶圆相对的一面贴到所述第二临时键合晶圆上；取下所述第一临时键合晶圆；在非硅区域制作连接孔；通过重布线技术布置完成所需要的金属互连线及所需要的层数至所述焊接垫的位置，以形成混合转接板。通过在有机介质的重布线层上嵌入不带硅通孔的局部硅转接板，实现了一种既进行高密度互连又进行次高密度互连的转接板，降低了成本。

技术领域

本发明涉及芯片封装制造领域，进一步地涉及了一种高密度互连转接板、封装结构及其制作方法。

背景技术

随着芯片向小型化、高性能方向发展，高密度、多芯片封装技术成为重要的解决方案，转接板目前已经成为纳米级集成电路与毫米级宏观基板之间电信号连接最有效的手段之一。转接板通常是指芯片与封装基板之间的互连和引脚再分布的功能层，转接板通过再分布层可以将密集的I/O引线进行再分布。

为了实现高密度互联封装，现有技术中通常采用一整块带硅通孔的硅转接板作为上层晶片和封装基板之间的连接，通过在转接板内部形成TSV来实现垂直贯通，从而实现芯片与芯片间高带宽通信以及芯片与基板间的高密度互连。但一整块带硅通孔的硅工艺转接板的硅中介层制造难度高、应力大、产能及其受限，进而导致成本居高不下。

也有技术采用无硅材料的有机材料作为介质的重布线层(RDL)作为转接板。重布线层(RDL)可对芯片的焊盘的焊区位置进行重新布局，使新焊区满足对焊料球最小间距的要求，并使新焊区按照阵列排布。但是，对于高I/O芯片封装结构而言，重布线层(RDL)对于高密度互连区域的线宽线距限制也较大，不易制作超高密度互连方案。

发明内容

为了解决上述技术问题，本发明提供一种新型高密度封装互连的转接板的制造方法，通过在有机介质的重布线层上嵌入不带硅通孔的局部硅转接板，实现了一种既能对晶片的高密度互连区域进行互连又能对晶片的次高密度互连区域实现非高密度互连的新型转接板，同时降低转接板的生产成本，解决高密度互连转接板制造难度大的问题。

具体的，本发明提供了一种高密度互连转接板的制作方法，包括以下步骤：

将多个单颗硅转接板转移至第一临时键合晶圆上；

使用填料，对不同所述硅转接板之间的间隙进行填充；

在第二临时键合晶圆上制作互连线路和焊接垫；

将所述硅转接板上与所述第一临时键合晶圆相对的一面贴到所述第二临时键合晶圆上；

取下所述第一临时键合晶圆；

在非硅区域制作连接孔；

通过重布线技术布置完成所需要的金属互连线及所需要的层数至所述焊接垫的位置，以形成混合转接板。

在一些实施方式中，所述将多个单颗硅转接板转移至第一临时键合晶圆上的步骤包括：

把单颗所述硅转接板按照与所述混合转接板匹配的高密度互联转接板上的节距转移至第一临时键合晶圆上。

在一些实施方式中，在所述取下所述第一临时键合晶圆步骤之后，还包括步骤：

将所述硅转接板背面研磨减薄至所需厚度。

在一些实施方式中，在所述形成混合转接板后还包括步骤：

直接在第二临时键合晶圆上对所述混合转接板进行切单处理，或

将所述混合转接板转移至常规晶圆贴膜上进行常规切割。