[发明专利]一种氮化镓晶圆及其减薄方法在审
| 申请号： | 202211188317.3 | 申请日： | 2022-09-28 |
| 公开（公告）号： | CN115488757A | 公开（公告）日： | 2022-12-20 |
| 发明（设计）人： | 张林;罗晓菊 | 申请（专利权）人： | 镓特半导体科技（上海）有限公司 |
| 主分类号： | B24B37/10 | 分类号： | B24B37/10;B24B37/04;B24B37/005;B24B49/00;H01L21/304 |
| 代理公司： | 铜陵市嘉同知识产权代理事务所(普通合伙) 34186 | 代理人： | 吴晨亮 |
| 地址： | 201306 上海市浦东新区自由贸*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种氮化镓晶圆及其减薄方法，包括以下步骤：提供一氮化镓晶圆；使用研磨机进行研磨，Ga面第一次减薄150μm‑200μm，N面第一次减薄200μm‑250μm，Ga面第二次减薄100μm‑150μm，N面第二次减薄100μm‑150μm。本发明的有益效果是Ga面、N面交替减薄，可以将晶圆的翘曲、弯曲度控制在很小的范围内，从而减少减薄过程中的裂片、边缘裂纹问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 氮化 镓晶圆 及其 方法 | ||
【主权项】：
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