[发明专利]一种薄膜晶体管及制备方法、阵列基板、显示装置在审
| 申请号： | 202211186620.X | 申请日： | 2022-09-27 |
| 公开（公告）号： | CN115440823A | 公开（公告）日： | 2022-12-06 |
| 发明（设计）人： | 李栋;张慧娟;刘政 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/423;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京志霖恒远知识产权代理有限公司 11435 | 代理人： | 郭栋梁 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种薄膜晶体管及制备方法、阵列基板、显示装置，包括：设置在衬底基板上的有源层，所述有源层包括沟道区；设置在所述有源层上的栅绝缘层，所述栅绝缘层界定出离子注入区，所述离子注入区包括位于中间的第一注入区以及位于所述第一注入区两侧的第二注入区，所述离子注入区在所述衬底基板上的正投影位于所述沟道区在所述衬底基板上的正投影重叠；所述第一注入区的第一上表面到所述有源层的上表面的距离小于所述第二注入区的第二上表面到所述有源层的上表面的距离。提高阈值电压的均匀性；改善薄膜晶体管的磁滞特性，提高显示效果；简化薄膜晶体管的制作工序，还可以避免对沟道区多晶硅膜层的损坏，提高有源层沟道区的膜层质量。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 薄膜晶体管 制备 方法 阵列 显示装置 | ||
【主权项】：
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