[发明专利]一种基于铱-非晶碳预种植层提高大尺寸单晶金刚石异质外延形核密度的方法在审
| 申请号： | 202211180061.1 | 申请日： | 2022-09-27 |
| 公开（公告）号： | CN115652422A | 公开（公告）日： | 2023-01-31 |
| 发明（设计）人： | 周兵;李俊峰;于盛旺;王永胜;马永;郑可 | 申请（专利权）人： | 太原理工大学 |
| 主分类号： | C30B25/18 | 分类号： | C30B25/18;C30B29/04 |
| 代理公司： | 太原市科瑞达专利代理有限公司 14101 | 代理人： | 申艳玲 |
| 地址： | 030024 山西*** | 国省代码： | 山西;14 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于铱‑非晶碳预种植层提高大尺寸单晶金刚石异质外延形核密度的方法，首先通过酸洗、丙酮或乙醇超声清洗方法预处理单晶硅衬底；在处理后的单晶硅表面依次外延纳米厚度的钇稳定氧化锆(YSZ)单晶膜缓冲层和铱单晶膜功能层；然后在铱/YSZ复合衬底表面预种植非晶碳膜，并对其进行真空退火去应力和抛光去石墨相大颗粒处理，得到光滑平整表面；最后在铱‑非晶碳预种植层表面外延生长单晶金刚石，切割去除复合衬底从而得到异质外延的大尺寸单晶金刚石。该方法利用非晶碳种植层加快偏压形核时碳离子进入铱膜形成过饱和固溶体的溶解‑析出过程，增加形核位点，提高形核密度，对制备大尺寸高质量单晶金刚石具有重要意义。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 非晶碳预 种植 提高 尺寸 金刚石 外延 密度 方法 | ||
【主权项】：
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