[发明专利]一种多补多排去除多晶硅杂质的工艺在审
| 申请号： | 202211166069.2 | 申请日： | 2022-09-23 |
| 公开（公告）号： | CN115536026A | 公开（公告）日： | 2022-12-30 |
| 发明（设计）人： | 徐凯;赵长森;牛强;郭婷;李鹏 | 申请（专利权）人： | 内蒙古鄂尔多斯多晶硅业有限公司;内蒙古鄂尔多斯电力冶金集团股份有限公司 |
| 主分类号： | C01B33/039 | 分类号： | C01B33/039 |
| 代理公司： | 北京精金石知识产权代理有限公司 11470 | 代理人： | 张天琦 |
| 地址： | 016064 内蒙古自治*** | 国省代码： | 内蒙古;15 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种多补多排去除多晶硅杂质的工艺，属于多晶硅工业生产技术领域，具体通过补充的杂质含量少的三氯氢硅替代高低沸塔中循环回到系统中三氯氢硅，高低沸塔中未回到系统中的含P等杂质的三氯氢硅再多排出系统用于光伏级三氯氢硅外售，从根本上解决产品中P等杂质除不去的问题，同时弥补了多晶硅企业运营期间需要外购的三氯氢硅降低的外购成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 多补多排 去除 多晶 杂质 工艺 | ||
【主权项】：
暂无信息
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