[发明专利]一种多补多排去除多晶硅杂质的工艺在审
| 申请号： | 202211166069.2 | 申请日： | 2022-09-23 |
| 公开（公告）号： | CN115536026A | 公开（公告）日： | 2022-12-30 |
| 发明（设计）人： | 徐凯;赵长森;牛强;郭婷;李鹏 | 申请（专利权）人： | 内蒙古鄂尔多斯多晶硅业有限公司;内蒙古鄂尔多斯电力冶金集团股份有限公司 |
| 主分类号： | C01B33/039 | 分类号： | C01B33/039 |
| 代理公司： | 北京精金石知识产权代理有限公司 11470 | 代理人： | 张天琦 |
| 地址： | 016064 内蒙古自治*** | 国省代码： | 内蒙古;15 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 多补多排 去除 多晶 杂质 工艺 | ||
1.一种多补多排去除多晶硅杂质的工艺，其特征在于，包括以下步骤：
(1)氯化氢与硅粉反应生成粗三氯氢硅；
(2)步骤(1)中得到的粗三氯氢硅进行粗分、多级提纯，得到高纯三氯氢硅和含杂质物料；
(3)步骤(2)中得到的高纯三氯氢硅进行还原反应得到高纯多晶硅料；
(4)步骤(2)中得到的含杂质物料进行初步提纯，然后进行多级提纯后得到的高纯三氯氢硅再次进行步骤(3)的还原反应，制备高纯多晶硅料。
2.根据权利要求1所述的工艺，其特征在于，步骤(1)中所述粗三氯氢硅中杂质的成分包括B、P、Fe、Ni、Cu的一种或几种。
3.根据权利要求1所述的工艺，其特征在于，步骤(1)中所述粗三氯氢硅中三氯氢硅的质量百分比为85-95％。
4.根据权利要求1所述的工艺，其特征在于，步骤(1)中所述反应的温度为280-300℃。
5.根据权利要求1所述的工艺，其特征在于，步骤(2)中所述粗分具体为：粗分塔进料预热器温度为65-105℃，塔釜再沸器温度为130-140℃，塔顶冷凝器温度为40-70℃，工作压力为0.2-0.4Mpa。
6.根据权利要求1所述的工艺，其特征在于，步骤(2)中所述多级提纯为五级蒸馏，所述五级蒸馏具体为：精馏一共五级塔，分为脱重脱轻，对单组份的三氯氢硅反复脱出，压力为0.15-0.25Mpa。
7.根据权利要求1所述的工艺，其特征在于，步骤(2)中所述粗分后得到的产品中三氯氢硅的质量百分比为99％以上。
8.根据权利要求1所述的工艺，其特征在于，步骤(3)中所述还原反应的具体过程为：高纯三氯氢硅通入还原炉中，同时通入氢气进行反应，氢气和三氯氢硅的摩尔比为4-5：1。
9.根据权利要求8所述的工艺，其特征在于，所述反应的温度为1000-1100℃，反应时间为70-90h。
10.权利要求1-9任一项所述的工艺在多晶硅除杂中的应用。
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