[发明专利]一种具有注入效率改善层结构的深紫外LED及其制备方法在审

专利信息
申请号: 202211163065.9 申请日: 2022-09-23
公开(公告)号: CN115498084A 公开(公告)日: 2022-12-20
发明(设计)人: 张骏;张毅;岳金顺;陈景文 申请(专利权)人: 苏州紫灿科技有限公司
主分类号: H01L33/14 分类号: H01L33/14;H01L33/04;H01L33/06;H01L33/00
代理公司: 武汉智嘉联合知识产权代理事务所(普通合伙) 42231 代理人: 李锡义
地址: 215000 江苏省*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明公开一种具有注入效率改善层结构的深紫外LED及其制备方法,该深紫外LED包括依次层叠布置的蓝宝石衬底、AlN本征层、n型AlGaN电子注入层、电流扩展层、量子阱有源层、第一载流子注入效率改善层、第二载流子注入效率改善层、电子阻挡层、p型AlGaN空穴注入层和p型GaN接触层,第一载流子注入效率改善层为由若干AlaGa1‑aN层和AlbGa1‑bN层周期交替组成的非故意掺杂的超晶格结构,所述第二载流子注入改善层的生长温度低于所述量子阱有源层的最低生长温度,且为使用Mg进行p型掺杂的AlGaN结构。本发明解决了现有技术中的由于电子阻挡层的结构设计而导致的深紫外LED器件的发光效率低下的技术问题。
搜索关键词: 一种 具有 注入 效率 改善 结构 深紫 led 及其 制备 方法
【主权项】:
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