[发明专利]三阱区内的电熔丝和三阱区上的栅极结构在审
| 申请号： | 202211144130.3 | 申请日： | 2022-09-20 |
| 公开（公告）号： | CN116133433A | 公开（公告）日： | 2023-05-16 |
| 发明（设计）人： | E·G·盖布里斯莱希;S·M·尚克;A·F·卢瓦索;R·J·小戈捷;M·J·阿布-卡利尔;A·Y·吉纳维 | 申请（专利权）人： | 格芯（美国）集成电路科技有限公司 |
| 主分类号： | H10B20/25 | 分类号： | H10B20/25 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 贺月娇;牛南辉 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本公开涉及半导体结构，更具体地涉及位于三阱上的电熔丝和栅极结构及制造方法。该结构包括：衬底，其包括有界区域；栅极结构，其形成在有界区域内；以及电熔丝，其形成在有界区域内并电连接到栅极结构。 | ||
| 搜索关键词： | 区内 电熔丝 三阱区上 栅极 结构 | ||
【主权项】：
暂无信息
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