[发明专利]三阱区内的电熔丝和三阱区上的栅极结构

权利要求书

1.一种结构，包括：

衬底，其包括有界区域；

栅极结构，其形成在所述有界区域内；以及

电熔丝，其形成在所述有界区域内并电连接到所述栅极结构。

2.根据权利要求1所述的结构，其中，所述有界区域包括三阱区，所述三阱区包括掩埋N阱、位于所述掩埋N阱上方的P阱以及围绕所述栅极结构和所述电熔丝的N阱环。

3.根据权利要求2所述的结构，其中，所述N阱环接触所述掩埋N阱。

4.根据权利要求2所述的结构，其中，所述电熔丝位于所述P阱内的浅沟槽隔离结构上方并且通过至少一个金属化特征电连接到所述栅极结构。

5.根据权利要求4所述的结构，其中，所述电熔丝包括硅化多晶硅材料。

6.根据权利要求5所述的结构，其中，所述栅极结构包括场效应晶体管并且包括多晶硅栅极结构。

7.根据权利要求5所述的结构，还包括位于所述三阱区内的束缚二极管。

8.根据权利要求1所述的结构，其中，所述有界区域包括掩埋在所述衬底中的非晶半导体层和延伸穿过所述非晶半导体层的P阱。

9.根据权利要求8所述的结构，其中，所述栅极结构和所述电熔丝位于所述非晶半导体层上方。

10.根据权利要求9所述的结构，其中，所述非晶半导体层包括多晶硅材料。

11.根据权利要求10所述的结构，其中，所述栅极结构包括浮体场效应晶体管。

12.一种结构，包括：

衬底，其包括由阱界定的区域；

至少一个浅沟槽隔离结构，其位于由所述阱界定的所述区域内；

栅极结构，其位于由所述阱界定的所述区域上方；以及

电熔丝，其电连接到所述栅极结构并位于由所述阱界定的所述区域内的所述至少一个浅沟槽隔离结构上方。

13.根据权利要求12所述的结构，还包括位于由所述阱界定的所述区域中的扩散区。

14.根据权利要求13所述的结构，其中，所述扩散区包括束缚二极管。

15.根据权利要求12所述的结构，其中，所述阱包括N阱环，并且所述区域包括三阱区，所述三阱区包括掩埋N阱、位于所述掩埋N阱上方并由所述N阱环界定的P阱。

16.根据权利要求15所述的结构，其中，所述栅极结构包括位于所述三阱区中的平行位基元。

17.根据权利要求15所述的结构，还包括位于所述三阱区的结处的浅沟槽隔离结构。

18.根据权利要求12所述的结构，其中，所述阱包括延伸穿过掩埋多晶硅材料的P阱环。

19.根据权利要求18所述的结构，其中，所述栅极结构是浮体栅极结构。

20.一种方法，包括：

在衬底中形成由阱包围的有界区域；

在所述有界区域内形成至少一个浅沟槽隔离结构；

在所述有界区域上方形成栅极结构；以及

形成电连接到所述栅极结构的电熔丝，所述电熔丝形成在所述有界区域内的所述至少一个浅沟槽隔离结构上方。