[发明专利]一种倒装高压发光二极管芯片及其制备方法在审
| 申请号： | 202211098939.7 | 申请日： | 2022-09-07 |
| 公开（公告）号： | CN115602775A | 公开（公告）日： | 2023-01-13 |
| 发明（设计）人： | 李文涛;鲁洋;简弘安;胡加辉;金从龙 | 申请（专利权）人： | 江西兆驰半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/46 | 分类号： | H01L33/46;H01L33/00 |
| 代理公司： | 南昌旭瑞知识产权代理事务所(普通合伙) 36150 | 代理人： | 曹远龙 |
| 地址： | 330000 江西省南昌市南*** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种倒装高压发光二极管芯片及其制备方法，该芯片包括设于衬底之上的多个发光单元，相邻两个发光单元之间通过隔离槽分隔，每个发光单元均包括设于P型半导体层之上的第一金属反射层；还包括第一绝缘层、第二绝缘层与第三绝缘层；第一绝缘层层叠设于第一金属反射层远离P型半导体层的一侧表面，第一绝缘层远离第一金属反射层的一侧表面层叠设有第二金属反射层，第一绝缘层与第二金属反射层覆盖隔离槽，并且，第二金属反射层的面积为衬底面积的85％以上。本发明解决了现有技术中倒装高压发光二极管芯片普遍存在反射层在隔离槽处的厚度变薄，导致反射层的反射能力降低，最终导致倒装高压发光二极管芯片的外量子效率低的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 倒装 高压 发光二极管 芯片 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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