[发明专利]微光刻光掩模的缺陷的粒子束诱导处理方法在审
| 申请号： | 202211094796.2 | 申请日： | 2022-09-08 |
| 公开（公告）号： | CN115793382A | 公开（公告）日： | 2023-03-14 |
| 发明（设计）人： | T.霍夫曼;M.巴达克 | 申请（专利权）人： | 卡尔蔡司SMT有限责任公司 |
| 主分类号： | G03F1/74 | 分类号： | G03F1/74;G03F1/72;G03F1/80 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 王蕊瑞 |
| 地址： | 德国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种微光刻光掩模(100)的缺陷(D、D')的粒子束诱导处理方法，包括以下步骤：a1)提供(S1)光掩模(100)的至少一部分的图像(300)，b1)将图像(300)中缺陷(D、D')的几何形状确定(S2)为修复形状(302、302')，c1)根据第一栅格(306)将修复形状(302、302')细分(S3)成n个像素(304)，d1)根据第二栅格(306')将修复形状细分(S5)成m个像素(304')，第二栅格(306')从第一栅格(306)的子像素位移产生，e1)在修复形状(302、302')的根据第一栅格(306)的n个像素(304)的每一个处提供(S4)激活粒子束(202)和工艺气体，以及f1)在修复形状(302、302')的根据第二栅格(306')的m个像素(304')的每一个处提供(S6)激活粒子束(202)和工艺气体。 | ||
| 搜索关键词： | 微光 刻光掩模 缺陷 粒子束 诱导 处理 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于卡尔蔡司SMT有限责任公司，未经卡尔蔡司SMT有限责任公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202211094796.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 微光刻光掩模的缺陷的粒子束诱导处理方法-202211094796.2
- T.霍夫曼;M.巴达克 - 卡尔蔡司SMT有限责任公司
- 2022-09-08 - 2023-03-14 - G03F1/74
- 一种微光刻光掩模(100)的缺陷(D、D')的粒子束诱导处理方法，包括以下步骤：a1)提供(S1)光掩模(100)的至少一部分的图像(300)，b1)将图像(300)中缺陷(D、D')的几何形状确定(S2)为修复形状(302、302')，c1)根据第一栅格(306)将修复形状(302、302')细分(S3)成n个像素(304)，d1)根据第二栅格(306')将修复形状细分(S5)成m个像素(304')，第二栅格(306')从第一栅格(306)的子像素位移产生，e1)在修复形状(302、302')的根据第一栅格(306)的n个像素(304)的每一个处提供(S4)激活粒子束(202)和工艺气体，以及f1)在修复形状(302、302')的根据第二栅格(306')的m个像素(304')的每一个处提供(S6)激活粒子束(202)和工艺气体。
- 一种电子束维修设备和光罩生产系统-202221848356.7
- 陈亚苓;张哲伟;周逸 - 泉意光罩光电科技（济南）有限公司
- 2022-07-18 - 2022-11-08 - G03F1/74
- 本申请提供一种电子束维修设备和光罩生产系统，涉及半导体制程技术领域，包括气体侦测器和具有腔室的主机，主机包括接入腔室的气体管路以及位于腔室的机台和电子束维修器，电子束维修器用于产生电子束，气体侦测器设置于腔室用于采集腔室的气体成分，以此借助气体侦测器能够实现电子束维修设备在待机、修复等多种工况下的腔室气体成分的监测，由此，能够方便使用者及时掌控电子束维修设备的腔室中的气体成分情况，根据其是否包含非预期气体，从而对应对电子束维修设备进行控制，有助于提高电子束维修设备的修复良率，避免光罩在修复中由于存在非预期气体而不知所导致的修复失败。
- 光罩及其修复方法-201510648122.6
- 任快侠;田明静 - 中芯国际集成电路制造（北京）有限公司;中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
- 2015-10-09 - 2021-03-23 - G03F1/74
- 本发明实施例公开了一种光罩及其修复方法，包括：首先确定光罩中的缺陷区域，而后在光罩上选择该缺陷区域的外围预定区域，并在该外围预定区域沉积一层阻挡层，最后对缺陷区域进行修复，从而完成了对光罩，特别是先进材料如Mosi‑binary类型的光罩的有效修复，同时阻挡层可补偿在缺陷区域修复时的不确定性，由于只需要确定缺陷区域、在缺陷区域外围形成阻挡层、蚀刻缺陷等过程，与现有光罩修复方法相比周期短，修复效果更好，可有效提升修复效率。
- 掩模缺陷修正装置和掩模缺陷修正方法-201911394067.7
- 中川良知;朝生光人;铃木胜美;冈部卫;荷田昌克 - 日本株式会社日立高新技术科学
- 2019-12-30 - 2020-10-02 - G03F1/74
- 本发明提供掩模缺陷修正装置和掩模缺陷修正方法，不用使掩模在掩模缺陷修正装置与检查装置之间一边暴露在大气中一边移动，便能够进行精度高的缺陷修正。掩模缺陷修正装置使得一边向掩模的缺陷供给气体，一边照射由补正部补正后的照射量的带电粒子束，从而形成沉积膜。
- 亚微米级掩模版的制造方法-201310330563.2
- 刘尧 - 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
- 2013-07-31 - 2018-07-20 - G03F1/74
- 本发明提供了一种亚微米级掩模版的制造方法，包括：提供第一基底；在所述第一基底上形成牺牲层；在所述牺牲层上形成金属层；通过聚焦离子束扫描在金属层上形成掩膜图形；通过粘合层将第二基底固定在形成有掩膜图形的金属层的上面；除去所述牺牲层和所述第一基底；通过聚焦离子束对所述掩膜图形进行修正。在本发明提供的亚微米级掩模版的制造方法中，聚焦离子束分别从金属层的相对两侧加工掩膜图形，从而改善了亚微米级掩模版的掩膜质量。
- 光刻掩模修复工艺-201310150870.2
- 吕建兴;林重宏;温志伟 - 台湾积体电路制造股份有限公司
- 2013-04-26 - 2017-11-21 - G03F1/74
- 一种方法包括对光刻掩模实施束扫描以修复光刻掩模。在束扫描之后，对光刻掩模实施辐射处理。通过一种装置实施该方法，该装置包括被配置成生成束并且将束投射到光刻掩模上的束发生器，被配置成在光刻掩模上生成辐射的辐射源，和被配置用于释放加工气体到光刻掩模上的加工气体源。加工气体与光刻掩模的表面部分发生反应以修复光刻掩模。利用辐射处理，光刻掩模上的残余加工气体被去除。本发明还提供了光刻掩模修复工艺。
- 专利分类
G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
