[发明专利]一种具有强{100}取向柱状晶的高硅钢薄带的制备方法在审

专利信息
申请号: 202211086379.3 申请日: 2022-09-06
公开(公告)号: CN115478135A 公开(公告)日: 2022-12-16
发明(设计)人: 刘振宇;毛宇奇;李成刚;曹光明;吉祥 申请(专利权)人: 东北大学
主分类号: C21D1/26 分类号: C21D1/26;C21D1/74;C21D3/04;C21D6/00;C21D9/52;C22C38/02;C23C10/08
代理公司: 大连东方专利代理有限责任公司 21212 代理人: 李娜;李馨
地址: 110819 辽宁*** 国省代码: 辽宁;21
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摘要: 发明涉及一种具有强{100}取向柱状晶的高硅钢薄带的制备方法,属于材料制备技术领域。一种具有强{100}取向柱状晶的高硅钢薄带的制备方法,包括下述工艺步骤:制备厚度为0.08~0.5mm的低碳低硅冷轧带钢;将带钢进行脱碳退火处理,退火过程在H2和N2混合气体保护下进行,退火温度800~960℃,退火时间1~15min,脱碳气氛露点控制在+20~50℃;经退火处理后的带钢进行冷却、渗硅、扩散退火处理,使最终所得薄带表面的硅含量为2.5~7.5%,心部的硅含量为1~5%的梯度高硅钢薄带。本发明所述工艺生产高硅钢薄带不仅可实现硅元素含量提高对磁性能的提升,更加通过控制组织织构对磁性能的提升,对原始原料的成分限定更宽范,实现产品的磁性能更高。
搜索关键词: 一种 具有 100 取向 柱状 硅钢 制备 方法
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