[发明专利]一种具有强{100}取向柱状晶的高硅钢薄带的制备方法

权利要求书

1.一种具有强{100}取向柱状晶的高硅钢薄带的制备方法，包括下述工艺步骤：制备厚度为0.08～0.5mm，成分按重量百分比为Si 0.5％～3.2％，C 0.01％～0.12％，B0.005％～0.05％，余量Fe的低碳低硅冷轧带钢；将带钢进行脱碳退火处理，退火过程在H₂占比为20～30％的H₂和N₂混合气体保护下进行，退火温度800～960℃，退火时间1～15min，脱碳气氛露点控制在+20～50℃；经退火处理后的带钢进行冷却、渗硅、扩散退火处理，使最终所得薄带表面的硅含量为2.5～7.5％，心部的硅含量为1～5％的梯度高硅钢薄带。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：所述脱碳退火处理过程加热升温速度6℃/s～15℃/s。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：进行脱碳退火处理前使冷轧带钢的表面粗糙度达到Ra0.1～0.2。

4.根据权利要求1～3任一项所述的方法，其特征在于：经脱碳退火处理后的带钢组织中铁素体柱状晶比例达到50％～90％，其中{100}和{110}取向柱状晶占柱状晶比例为30～50％，等轴晶比例10％～50％，柱状晶晶粒尺寸为50～300μm；带钢的C元素含量≤0.003％以下。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：所述渗硅处理具体为：带钢在50～100℃/s条件下快速加热到1050℃～1200℃，进行渗硅处理，渗硅处理过程向带钢表面喷吹含SiCl₄15％～30％的反应气体，渗硅时间2～16min，带钢在通过时施加2～3％的张力。

6.根据权利要求1～5任一项所述的方法，其特征在于：经过渗硅处理以后晶粒长大，柱状晶比例达到90～100％，等轴晶为0～10％，晶粒尺寸长大为100-400μm；然后扩散退火后，柱状晶比例为90～100％，等轴晶为0～10％，晶粒尺寸为100-400μm。

7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：所述冷却过程分两步进行：800℃以上时，冷却速度10～15℃/s，800℃以下时冷却速度40～80℃/s。

8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：所述扩散退火工艺为：1100℃～1200℃，保温5～30min。

9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：按重量百分比含Si 0.5％～3.2％，C0.01％～0.12％，B 0.005％～0.05％Fe余量的成分炼钢、铸锭、热轧、酸洗、冷轧，得到厚度0.08～0.5mm的低碳低硅冷轧带卷。

10.权利要求1～9任一项方法制得的具有强{100}取向柱状晶的高硅钢薄带，其特征在于：所得高硅钢薄带表面的硅含量为2.5～7.5％，心部的硅含量为1～5％；薄带组织中铁素体柱状晶比例达到90～100％，等轴晶为0～10％其中{100}和{110}取向柱状晶占柱状晶比例为30～50％，晶粒尺寸100～400μm；薄带的C元素含量≤0.003％以下。