[发明专利]基于硅纳米线阵列的加速度计及其制备方法在审
| 申请号： | 202211085336.3 | 申请日： | 2022-09-06 |
| 公开（公告）号： | CN115420906A | 公开（公告）日： | 2022-12-02 |
| 发明（设计）人： | 刘超然;郭礼康;杨勋;郑驰霖;韩晶晶;董林玺;王高峰 | 申请（专利权）人： | 杭州电子科技大学 |
| 主分类号： | G01P15/08 | 分类号： | G01P15/08;B81C1/00 |
| 代理公司： | 浙江永鼎律师事务所 33233 | 代理人： | 周希良 |
| 地址： | 310018 浙江省杭州市杭*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明涉及基于硅纳米线阵列的加速度计及其制备方法。该硅纳米线阵列加速度计包括硅纳米线敏感单元、氮化硅薄膜、质量块、金电极以及硅基底。本发明将众多硅纳米线并联排布在两个电极之间，器件整体呈现梳齿状；在硅纳米线阵列加速度计工作时，多条硅纳米线上的信号相互叠加，使输出信号更强更稳定。本发明采用单晶硅纳米线替代传统的压敏电阻作为敏感单元，由于硅纳米线压阻系数比压敏电阻压阻系数高，使得本发明的加速度计具有更高的灵敏度。另外，本发明制备工艺简单，成本低廉，可实现大规模制作。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 纳米 阵列 加速度计 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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