[发明专利]元素掺杂及钴原位包覆的前驱体材料及其制备方法、正极材料有效
申请号: | 202211080028.1 | 申请日: | 2022-09-05 |
公开(公告)号: | CN115159593B | 公开(公告)日: | 2023-05-12 |
发明(设计)人: | 王小玮 | 申请(专利权)人: | 中南大学 |
主分类号: | H01M4/525 | 分类号: | H01M4/525;C01G53/00;H01M4/36;H01M4/505;H01M4/62;H01M4/04;H01M10/0525 |
代理公司: | 北京天盾知识产权代理有限公司 11421 | 代理人: | 李琼芳 |
地址: | 410012 湖南*** | 国省代码: | 湖南;43 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: |
本发明属于锂离子电池材料技术领域,主要公开了元素掺杂及钴原位包覆的前驱体材料及其制备方法。元素掺杂及钴原位包覆的前驱体材料,化学式为Ni |
||
搜索关键词: | 元素 掺杂 原位 前驱 材料 及其 制备 方法 正极 | ||
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中南大学,未经中南大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/202211080028.1/,转载请声明来源钻瓜专利网。