[发明专利]元素掺杂及钴原位包覆的前驱体材料及其制备方法、正极材料有效

专利信息
申请号: 202211080028.1 申请日: 2022-09-05
公开(公告)号: CN115159593B 公开(公告)日: 2023-05-12
发明(设计)人: 王小玮 申请(专利权)人: 中南大学
主分类号: H01M4/525 分类号: H01M4/525;C01G53/00;H01M4/36;H01M4/505;H01M4/62;H01M4/04;H01M10/0525
代理公司: 北京天盾知识产权代理有限公司 11421 代理人: 李琼芳
地址: 410012 湖南*** 国省代码: 湖南;43
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摘要: 发明属于锂离子电池材料技术领域,主要公开了元素掺杂及钴原位包覆的前驱体材料及其制备方法。元素掺杂及钴原位包覆的前驱体材料,化学式为NixCoyMnzMp(OH)2@Co(OH)2,M为掺杂元素;所述前驱体材料中掺杂元素由内而外呈“低浓度‑高浓度‑低浓度‑高浓度‑低浓度”式循环分布,前驱体材料最内层与最外层的掺杂元素的掺杂区域为低浓度掺杂区域;钴通过共沉淀工艺沉积于前驱体表面,形成钴包覆层。通过控制掺杂元素的盐溶液的流量,即可得到前驱体材料中掺杂元素由内而外呈“低浓度‑高浓度‑低浓度‑高浓度‑低浓度”式循环分布。在前驱体制备阶段一步实现梯度掺杂和原位包覆,不需要额外的流程,可以得到质量优异的前驱体材料,极大的提高经济效益。
搜索关键词: 元素 掺杂 原位 前驱 材料 及其 制备 方法 正极
【主权项】:
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