[发明专利]一种制备交叉堆叠的异质结构阵列的方法在审
| 申请号： | 202211075695.0 | 申请日： | 2022-09-05 |
| 公开（公告）号： | CN115140704A | 公开（公告）日： | 2022-10-04 |
| 发明（设计）人： | 范鑫;吴雨辰;江雷 | 申请（专利权）人： | 北京仿生界面科学未来技术研究院 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00 |
| 代理公司： | 北京巨弘知识产权代理事务所(普通合伙) 11673 | 代理人： | 张婧 |
| 地址： | 100094 北京市海淀区*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种制备交叉堆叠的异质结构阵列的方法，通过设计周期性硅微柱模板，选择性修饰FAS分子使其顶部亲液、侧壁疏液来控制毛细液桥的形成，从而利用一级毛细液桥的定向退浸润过程来诱导半导体材料进行定向的成核和生长，获得表面平整、长程有序、高质量的一维半导体微米线阵列。进一步发展了利用正交溶剂的二级毛细液桥来诱导双组份异质结构的组装方法，利用正交溶剂和三维转移平台可以在第一层微米线阵列顶部垂直生长第二层半导体微米线阵列，形成交叉堆叠的异质结构阵列。本发明制备的具有多组分半导体材料的异质结构可以有效地控制器件性能，集成多种功能并产生特定的应用，为交叉堆叠的异质结构阵列化制备提供了新思路。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 制备 交叉 堆叠 结构 阵列 方法 | ||
【主权项】：
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