[发明专利]一种制备交叉堆叠的异质结构阵列的方法

权利要求书

1.一种制备交叉堆叠的异质结构阵列的方法，其特征在于：包括以下步骤：

S1、一维纳米线阵列制备：利用一级毛细液桥制备一维纳米线阵列；

S2、交叉堆叠的异质结构阵列：在二级毛细液桥硅柱模板上滴加二级前驱液，然后将所述一维纳米线阵列覆盖在所述二级毛细液桥硅柱模板的二级毛细液桥硅柱阵列上得到三明治结构，将所述三明治结构放入烘箱中加热使正交溶剂挥发后取出拆开，得到交叉堆叠的异质结构阵列；

所述二级前驱液为溶解在所述正交溶剂中的聚合物发光材料，所述正交溶剂可溶解所述聚合物发光材料但不溶解所述一维纳米线阵列；

所述二级毛细液桥硅柱阵列包括至少两个二级毛细液桥硅柱，所述二级毛细液桥硅柱顶部亲液、侧壁疏液。

2.根据权利要求1所述的一种制备交叉堆叠的异质结构阵列的方法，其特征在于：步骤S1包括：

S11、在一级毛细液桥硅柱模板上滴加一级前驱液；

S12、将基底覆盖在所述一级毛细液桥硅柱模板上得到三明治结构；

S13、将所述三明治结构放入烘箱中使所述一级毛细液桥诱导定向退浸润得到所述一维纳米线阵列；

所述一级毛细液桥硅柱模板包括一级毛细液桥硅柱阵列，所述一级毛细液桥硅柱阵列的顶部亲液、侧壁疏液；

步骤S2中，所述二级毛细液桥硅柱阵列与所述一维纳米线阵列交叉设置。

3.根据权利要求2所述的一种制备交叉堆叠的异质结构阵列的方法，其特征在于：所述一级前驱液为有机-无机杂化钙钛矿前驱液或半导体材料前驱液。

4.根据权利要求3所述的一种制备交叉堆叠的异质结构阵列的方法，其特征在于：所述一级前驱液为以下任意一种：MAPbBr₃前驱液、F8BT前驱液和MAPbI₃前驱液；

步骤S2中，所述聚合物发光材料为以下任意一种：P3HT和C8-BTBT，所述正交溶剂为甲苯或氯苯。

5.根据权利要求2所述的一种制备交叉堆叠的异质结构阵列的方法，其特征在于：所述一级毛细液桥硅柱模板通过FAS修饰使所述一级毛细液桥硅柱阵列的顶部亲液、侧壁疏液；

所述二级毛细液桥硅柱模板通过FAS修饰使所述二级毛细液桥硅柱阵列的顶部亲液、侧壁疏液。

6.根据权利要求2所述的一种制备交叉堆叠的异质结构阵列的方法，其特征在于：所述一级毛细液桥硅柱阵列和所述二级毛细液桥硅柱阵列的形状包括以下任意一种：直线阵列、圆形阵列、三角形阵列、多边形阵列和曲线阵列。

7.根据权利要求2所述的一种制备交叉堆叠的异质结构阵列的方法，其特征在于：所述一级毛细液桥硅柱阵列和所述二级毛细液桥硅柱阵列的硅柱宽度为2 μm、间隔为5 μm。

8.根据权利要求2所述的一种制备交叉堆叠的异质结构阵列的方法，其特征在于：步骤S12和步骤S2中所述烘箱的温度为60~80℃、保持时间为10~20h。

9.根据权利要求2所述的一种制备交叉堆叠的异质结构阵列的方法，其特征在于：步骤S12中，所述基底为以下任意一种：硅片、二氧化硅片、石英片、玻璃片和氧化铟锡导电玻璃。

10.根据权利要求1所述的一种制备交叉堆叠的异质结构阵列的方法，其特征在于：步骤S2中，通过三维转移平台使所述二级毛细液桥硅柱阵列与所述一维纳米线阵列在水平方向上形成90°交叉设置。