[发明专利]沟槽式器件晶圆的制备方法及沟槽式器件晶圆在审
| 申请号： | 202211070341.7 | 申请日： | 2022-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN115312374A | 公开（公告）日： | 2022-11-08 |
| 发明（设计）人： | 左月;陆金 | 申请（专利权）人： | 上海积塔半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京清大紫荆知识产权代理有限公司 11718 | 代理人： | 黄贞君;秦亚群 |
| 地址： | 201208 上海市浦东新区中国*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请提供一种沟槽式器件晶圆的制备方法及沟槽式器件晶圆，应用于半导体制造技术领域，包括：步骤1：在晶圆的背面形成晶背沟槽，晶背沟槽与晶圆的正面沟槽的结构相同；步骤2：在晶圆的正面沟槽和晶背沟槽中淀积多晶硅，使多晶硅在晶圆的正面和反面形成相反方向的应力；步骤3：通过背面磨片工艺去除背面沟槽。通过在晶圆背面刻蚀形成沟槽；向沟槽进行多晶硅填充并结晶，该结晶硅在硅片正面和反面形成相反方向的应力；通过减薄工艺去除背面图形，过程简单，成本较低，重复性好。 | ||
| 搜索关键词： | 沟槽 器件 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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