[发明专利]半导体设备腔体内铝基多层带孔零部件的超洁净清洗工艺在审
| 申请号： | 202211069822.6 | 申请日： | 2022-09-02 |
| 公开（公告）号： | CN115382843A | 公开（公告）日： | 2022-11-25 |
| 发明（设计）人： | 方明赫;潘虹;安朋娜 | 申请（专利权）人： | 沈阳富创精密设备股份有限公司 |
| 主分类号： | B08B3/12 | 分类号： | B08B3/12;B08B3/08;B08B3/10;B08B3/02;C23C22/56;C23C22/82 |
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| 地址： | 110000 辽宁*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 本发明公开一种半导体设备腔体内铝基多层带孔零部件的超洁净清洗工艺，其步骤包括：表面打磨；超声脱脂清洗；纯水清洗；酸蚀；纯水清洗；钝化；纯水清洗；转运至百级无尘室；高压冲洗；超声清洗；表面吹干；真空干燥。该工艺能有效去除多层带孔零部件内外表面的颗粒污染物，以及减少铝基材表面铜、镁、钙、锌等杂质元素的含量。经该工艺处理后，在铝基材表面生成致密的钝化膜层，能够提高部件的耐腐蚀性和使用寿命。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体设备 体内 基多 层带孔 零部件 洁净 清洗 工艺 | ||
【主权项】：
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