[发明专利]离子导体集成电路及制备方法与应用在审
| 申请号： | 202211067199.0 | 申请日： | 2022-09-01 |
| 公开（公告）号： | CN115394632A | 公开（公告）日： | 2022-11-25 |
| 发明（设计）人： | 林彬;王国庆 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L27/02 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及集成电路领域、新型材料领域和电子信息领域，提供了离子导体集成电路及制备方法与应用，能够制备尺寸更小更薄，而且离子传输速率快，而且灵敏度高，功耗更低的集成电路。本发明制造的原子尺度离子导体集成电路，不仅可集成度高，可解决集成电路中存在的尺寸效应和量子力学效应等问题，也可以为大尺寸传感器或者集成电路其他关键零部件材料提供新的思路。本发明采用原子尺度氮化硼等材料作为离子导体集成电路的核心材料，具有良好的电绝缘性、导热性、耐化学腐蚀性等优点，同时成本低廉，制造工艺成熟，容易制得，作为商业化用途很有展望。 | ||
| 搜索关键词： | 离子 导体 集成电路 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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