[发明专利]晶体管、半导体器件及其形成方法在审
| 申请号： | 202211067026.9 | 申请日： | 2022-09-01 |
| 公开（公告）号： | CN115881771A | 公开（公告）日： | 2023-03-31 |
| 发明（设计）人： | 李达元;张文 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明实施例提供了半导体器件，该半导体器件包括第一纳米结构；第二纳米结构，位于第一纳米结构下方，第二纳米结构在第二纳米结构的相对端部处具有垂直突起；栅极结构，设置在第一纳米结构和第二纳米结构上方，栅极结构在第一纳米结构和第二纳米结构之间延伸；以及源极/漏极区域，与栅极结构相邻，源极/漏极区域接触第一纳米结构和第二纳米结构。本发明的实施例还提供了晶体管和形成半导体器件的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 晶体管 半导体器件 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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