[发明专利]硅片制绒清洗工艺、太阳电池及其制备方法在审
申请号: | 202211066218.8 | 申请日: | 2022-09-01 |
公开(公告)号: | CN115312628A | 公开(公告)日: | 2022-11-08 |
发明(设计)人: | 高永强 | 申请(专利权)人: | 通威太阳能(安徽)有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L31/0236;H01L31/109 |
代理公司: | 华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人: | 周孝湖 |
地址: | 230031 安徽省合肥市*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | 本发明提供了一种硅片制绒清洗工艺、太阳电池及其制备方法,硅片制绒清洗工艺包括如下步骤:采用制绒药液对硅片进行制绒处理;其中,制绒药液按体积份数计包括质量分数40%~50%的碱金属氢氧化物溶液4.5份~7份、制绒添加剂1份、水160份~175份;制绒处理的温度为83℃~86℃,制绒处理的时间为450s~700s。该硅片制绒清洗工艺通过对制绒药液的配方和制绒工艺参数进行优化调整,能够有效地提高硅片表面绒面结构的均匀性,解决传统工艺制备的电池片“水柱印”隔离比例过高的问题,提高产品良率和电池效率。 | ||
搜索关键词: | 硅片 清洗 工艺 太阳电池 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的