[发明专利]硅片制绒清洗工艺、太阳电池及其制备方法在审
申请号: | 202211066218.8 | 申请日: | 2022-09-01 |
公开(公告)号: | CN115312628A | 公开(公告)日: | 2022-11-08 |
发明(设计)人: | 高永强 | 申请(专利权)人: | 通威太阳能(安徽)有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L31/0236;H01L31/109 |
代理公司: | 华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人: | 周孝湖 |
地址: | 230031 安徽省合肥市*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 硅片 清洗 工艺 太阳电池 及其 制备 方法 | ||
1.一种硅片制绒清洗工艺,其特征在于,包括如下步骤:
采用制绒药液对硅片进行制绒处理;
其中,所述制绒药液按体积份数计包括质量分数40%~50%的碱金属氢氧化物溶液4.5份~7份、制绒添加剂1份、水160份~175份;所述制绒处理的温度为83℃~86℃,所述制绒处理的时间为450s~700s。
2.根据权利要求1所述的硅片制绒清洗工艺,其特征在于,所述制绒处理在制绒槽中进行,所述制绒槽内盛装所述制绒药液,所述制绒槽的容积为265L~275L;每制绒处理320片~400片所述硅片后排出5.5L~8L所述制绒药液,并向所述制绒槽中补加150mL~200mL所述制绒添加剂、6.5L~8.5L水和300mL~500mL质量分数40%~50%的碱金属氢氧化物溶液。
3.根据权利要求1所述的硅片制绒清洗工艺,其特征在于,所述制绒处理过程中所述制绒药液的循环流量为26L/min~32L/min。
4.根据权利要求1所述的硅片制绒清洗工艺,其特征在于,所述制绒处理时将所述硅片置于花篮的底部支杆上,所述花篮置于所述制绒药液中,所述底部支杆的直径为14mm~16mm,所述底部支杆上沿竖向开设有孔径为2mm~4mm的通孔。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的硅片制绒清洗工艺,其特征在于,在采用制绒药液对硅片进行制绒处理之前,所述硅片制绒清洗工艺还包括如下步骤:
采用粗抛药液对所述硅片进行粗抛处理;
其中,所述粗抛药液按体积份数计包括质量分数40%~50%的碱金属氢氧化物溶液12份~15份、水220份~250份;所述粗抛处理的时间为70s~80s。
6.根据权利要求5所述的硅片制绒清洗工艺,其特征在于,所述粗抛处理在粗抛槽中进行,所述粗抛槽内盛装所述粗抛药液,所述粗抛槽的容积为230L~260L;每粗抛处理320片~400片所述硅片后排出4L~6L所述粗抛药液,并向所述粗抛槽中补加1000mL~1200mL质量分数40%~50%的碱金属氢氧化物溶液和5L~6.5L水。
7.根据权利要求5所述的硅片制绒清洗工艺,其特征在于,在采用粗抛药液对所述硅片进行粗抛处理之后,且在采用制绒药液对硅片进行制绒处理之前,所述硅片制绒清洗工艺还包括如下步骤:
采用含有氢氟酸、盐酸和臭氧的溶液对经过粗抛处理后的所述硅片进行臭氧清洗;以及
采用含有氢氧化钠和双氧水的溶液对经过臭氧清洗后的所述硅片进行预清洗处理。
8.根据权利要求5所述的硅片制绒清洗工艺,其特征在于,在采用制绒药液对硅片进行制绒处理之后,所述硅片制绒清洗工艺还包括如下步骤:
采用含有氢氧化钠和双氧水的溶液对经过制绒处理后的所述硅片进行后清洗处理;
采用含有氢氟酸、盐酸和臭氧的溶液对经过后清洗处理后的所述硅片进行圆滑处理;
采用含有氢氟酸的溶液对经过圆滑处理后的所述硅片进行钝化处理;以及
对经过钝化处理后的所述硅片依次进行水洗处理、慢提拉脱水处理和烘干处理。
9.一种太阳电池的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:
提供硅片,并采用权利要求1至8中任一项所述的硅片制绒清洗工艺对所述硅片进行制绒清洗;以及
将制绒清洗后的所述硅片制成太阳电池。
10.根据权利要求9所述的太阳电池的制备方法,其特征在于,将制绒清洗后的所述硅片制成太阳电池,包括如下步骤:
在制绒清洗后的所述硅片上形成本征非晶硅层;
在所述本征非晶硅层上形成掺杂非晶硅层;
在所述掺杂非晶硅层上形成透明导电薄膜;以及
在所述透明导电薄膜上形成电极。
11.一种太阳电池,其特征在于,所述太阳电池通过权利要求9或10所述的制备方法制备得到。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的