[发明专利]评估超结结构电荷平衡的叉指超结MIS结构及测试方法在审
| 申请号： | 202211062287.1 | 申请日： | 2022-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN115483267A | 公开（公告）日： | 2022-12-16 |
| 发明（设计）人： | 李轩;王常旺;吴一帆;李凌峰;邓小川;张波 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L21/66 |
| 代理公司： | 成都点睛专利代理事务所(普通合伙) 51232 | 代理人： | 敖欢 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种评估超结结构电荷平衡的叉指超结MIS结构及测试方法，包括硅N+型衬底、超结N区、超结P区、氧化硅薄膜、N区铝薄膜、P区铝薄膜、衬底背面铝薄膜；包括步骤：(1)在N+硅衬底片上制备超结结构，然后在超结结构表面生长氧化硅薄膜，接着在氧化硅薄膜表面溅射金属薄膜，同时在N+衬底背面也溅射一层金属薄膜，得到叉指超结MIS结构器件；(2)在低频或高频条件下分别测试叉指超结MIS结构的N区与P区的C‑V特性曲线；(3)通过比较超结N区和P区高频C‑V特性曲线电容最小值，对超结结构是否电荷平衡进行判定。利用本发明，可以判断超结结构的电荷平衡情况与N/P区具体的非平衡度，该判断方法简单且有效。 | ||
| 搜索关键词： | 评估 结构 电荷 平衡 叉指超结 mis 测试 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于电子科技大学，未经电子科技大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202211062287.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
