[发明专利]一种SiGe和Si的选择性蚀刻液在审
| 申请号： | 202211054794.0 | 申请日： | 2022-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN115595154A | 公开（公告）日： | 2023-01-13 |
| 发明（设计）人： | 余迪;尹印;贺兆波;王亮;万杨阳;彭浩;张庭;陈麒;叶瑞 | 申请（专利权）人： | 湖北兴福电子材料股份有限公司 |
| 主分类号： | C09K13/00 | 分类号： | C09K13/00;C09K13/10;C09K13/08 |
| 代理公司： | 宜昌市三峡专利事务所 42103 | 代理人： | 成钢 |
| 地址： | 443007 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明属于集成电路电子化学品领域，具体涉及一种SiGe和Si的选择性蚀刻液的制备及其使用方法。所述蚀刻液主要用于SiGe的湿法刻蚀，对SiGe具有良好的选择性，且对Si的腐蚀性弱，主要成分包括1~15%的复合氧化剂、1~15%的氟源、30~60%的缓冲组合物、0.05~5%的螯合剂、高纯水。该蚀刻液不仅对SiGe具有良好的选择性，而且具有较高的寿命，还能通过组分含量以及温度来控制蚀刻速率及选择比。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 sige si 选择性 蚀刻 | ||
【主权项】：
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