[发明专利]一种SiGe和Si的选择性蚀刻液在审
| 申请号： | 202211054794.0 | 申请日： | 2022-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN115595154A | 公开（公告）日： | 2023-01-13 |
| 发明（设计）人： | 余迪;尹印;贺兆波;王亮;万杨阳;彭浩;张庭;陈麒;叶瑞 | 申请（专利权）人： | 湖北兴福电子材料股份有限公司 |
| 主分类号： | C09K13/00 | 分类号： | C09K13/00;C09K13/10;C09K13/08 |
| 代理公司： | 宜昌市三峡专利事务所 42103 | 代理人： | 成钢 |
| 地址： | 443007 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 sige si 选择性 蚀刻 | ||
1.一种SiGe和Si的选择性蚀刻液，其特征在于：对SiGe具有选择性蚀刻，主要成分包括1~15%的复合氧化剂、1~15%的氟源、30~60%的缓冲组合物、0.05~5%的螯合剂、余量为高纯水。
2.根据权利要求1所述的SiGe和Si的选择性蚀刻液，其特征在于：所述复合氧化剂是无机氧化剂和有机氧化剂以质量比1：1-10复配形成的复合氧化剂。
3.根据权利要求1所述的SiGe和Si的选择性蚀刻液，其特征在于：所述无机氧化剂包括过氧化氢、过氧乙酸、过硼酸、过硫酸铵、硝酸、高碘酸中的至少一种。
4.根据权利要求1所述的SiGe和Si的选择性蚀刻液，其特征在于：所述有机氧化剂包括苯醌、N-甲基吗啉-N-氧化物、硝基吡啶、硝基苯酚、阿脲、N-氧化吡啶、三甲胺N-氧化物中的至少一种。
5.根据权利要求1所述的SiGe和Si的选择性蚀刻液，其特征在于：所述氟源包括氢氟酸、氟化铵、四甲基氟化铵、四乙基氟化铵、四丙基氟化铵、氟化氢铵、氟硼酸、六氟硅酸、六氟硅酸盐、三乙胺三氢氟酸、吡啶氢氟酸盐化合物中的至少一种。
6.根据权利要求1所述的SiGe和Si的选择性蚀刻液，其特征在于：所述缓冲组合物为醋酸-醋酸铵缓冲体系或柠檬酸-柠檬酸铵缓冲体系。
7.根据权利要求1所述的SiGe和Si的选择性蚀刻液，其特征在于：所述的螯合剂为乙二胺四乙酸、丁二胺四乙酸、丙二胺四乙酸、二亚乙基三胺五乙酸、三亚乙基四胺六乙酸、二乙烯三胺五醋酸、酒石酸、硫代水杨酸、乙二醇双(2-氨基乙基醚)四乙酸、胱氨酸、没食子酸中的至少一种。
8.根据权利要求1所述的SiGe和Si的选择性蚀刻液，其特征在于：所用的SiGe材料含30-60%的Ge。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于湖北兴福电子材料股份有限公司，未经湖北兴福电子材料股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202211054794.0/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
