[发明专利]连续存储器编程操作在审
| 申请号： | 202211053843.9 | 申请日： | 2022-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN115731999A | 公开（公告）日： | 2023-03-03 |
| 发明（设计）人： | V·莫斯基亚诺;A·摩哈马萨德;W·迪·弗朗西斯可;D·斯里尼瓦桑 | 申请（专利权）人： | 美光科技公司 |
| 主分类号： | G11C16/10 | 分类号： | G11C16/10;G11C16/30;G11C16/34;G11C16/04 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 王龙 |
| 地址： | 美国爱*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本申请案涉及连续存储器编程操作。一种实例存储器装置包括：存储器阵列，其包括电耦合到多个导电线的多个存储器单元；和控制器，其耦合到所述存储器阵列。所述控制器执行包括以下各项的操作：相对于所述存储器阵列的存储器单元集执行存储器编程操作，其中所述存储器编程操作包括施加至与所述存储器单元集电耦合的一或多个导电线的编程脉冲序列；响应于接收到执行存储器存取操作的命令，在执行所述编程脉冲序列中的当前编程脉冲之后暂停所述存储器编程操作，其中所述当前编程脉冲在第一电压电平下执行；发起所述存储器存取操作；和通过在超过所述第一电压电平的第二电压电平下执行下一编程脉冲来重新开始所述存储器编程操作。 | ||
| 搜索关键词： | 连续 存储器 编程 操作 | ||
【主权项】：
暂无信息
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