[发明专利]利用半导体激光器实现全息光刻的装置在审
| 申请号： | 202211042313.4 | 申请日： | 2022-08-29 |
| 公开（公告）号： | CN115373229A | 公开（公告）日： | 2022-11-22 |
| 发明（设计）人： | 尚向军;牛智川;倪海桥;苏向斌;王国伟;刘汗青;李叔伦;戴德琰 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 张博 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种利用半导体激光器实现全息光刻的装置，可以应用于半导体光电器件技术领域。该装置包括：激光发射组件，检测组件和干涉装置。激光发射组件包括：蓝光激光二极管，准直透镜，驱动/温控模块，光栅构成光栅外腔结构，用于产生并输出单纵模蓝光激光；检测组件，用于实时监测单纵模蓝光激光的光谱和光强；干涉装置，用于利用单纵模蓝光激光对实验样片执行全息光刻工艺。本发明通过光栅外腔结构产生与输出单纵模蓝光激光，并实现了单纵模蓝光激光应用到全息光刻技术，其装置简便，可进行小区域的布拉格光栅制备，适用于分布式反馈激光器研制，促进其产业应用，同时也促进蓝紫光至紫外光半导体激光二极管的研发和应用。 | ||
| 搜索关键词： | 利用 半导体激光器 实现 全息 光刻 装置 | ||
【主权项】：
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