[发明专利]半导体器件及其制造方法在审
| 申请号： | 202211041935.5 | 申请日： | 2022-08-29 |
| 公开（公告）号： | CN115483265A | 公开（公告）日： | 2022-12-16 |
| 发明（设计）人： | 郭欣;吴晶;赵学峰;肖金平;杨彦涛;郭广兴;江永兵 | 申请（专利权）人： | 杭州士兰集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京成创同维知识产权代理有限公司 11449 | 代理人： | 岳丹丹 |
| 地址： | 310018 浙江省杭州市杭*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 公开了一种半导体器件及其制造方法，该半导体器件包括：碳化硅衬底，所述碳化硅衬底具有第一掺杂类型；位于碳化硅衬底上的外延层，所述外延层具有第一掺杂类型；位于所述外延层中的掺杂柱区，所述掺杂柱区具有第二掺杂类型，所述第一掺杂类型和所述第二掺杂类型相反；其中，所述掺杂柱区通过沿选定的晶向方向进行隧道式离子注入形成，选定的晶向方向为[11‑20]、[11‑23]和[0001]晶向方向中的任一晶向方向。本申请的半导体器件在保证较高击穿电压同时，又保证了较小的正向导通电阻，同时外延层的掺杂浓度提高可以改善正向导通电阻的温度系数，更加有利于半导体器件在高温环境下的可靠性和参数性能。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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