[发明专利]一种改善沟槽刻蚀（P5000）作业过程中颗粒的方法在审
| 申请号： | 202211035106.6 | 申请日： | 2022-08-26 |
| 公开（公告）号： | CN115188659A | 公开（公告）日： | 2022-10-14 |
| 发明（设计）人： | 李扬;朱光源;王毅 | 申请（专利权）人： | 扬州扬杰电子科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/3065;H01J37/32 |
| 代理公司： | 扬州市苏为知识产权代理事务所(普通合伙) 32283 | 代理人： | 郭翔 |
| 地址： | 225008 江苏省扬*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： |
一种改善沟槽刻蚀（P5000）作业过程中颗粒的方法。涉及半导体加工工艺。包括以下步骤：1）产品主刻蚀工艺完成后，产品停留在停留在腔内的刻蚀工位上；2）沟槽刻蚀腔体密闭，将沟槽刻蚀腔体内压力由50mt改为55±5mt同时通入150±50sccm的PO2，持续时间15s；3）保持150±50sccm的PO |
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| 搜索关键词： | 一种 改善 沟槽 刻蚀 p5000 作业 过程 颗粒 方法 | ||
【主权项】：
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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