[发明专利]一种有效抑制SiC外延片掉落物缺陷生成的方法在审
| 申请号： | 202211028027.2 | 申请日： | 2022-08-25 |
| 公开（公告）号： | CN115386953A | 公开（公告）日： | 2022-11-25 |
| 发明（设计）人： | 冯禹;李云廷;刘丹;张会娟;李锡光 | 申请（专利权）人： | 东莞市天域半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | C30B25/20 | 分类号： | C30B25/20;C30B29/36;C30B25/12;B08B5/02 |
| 代理公司： | 广州市华学知识产权代理有限公司 44245 | 代理人： | 李盛洪 |
| 地址： | 523000 广东省东莞市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种有效抑制SiC外延片掉落物缺陷生成的方法，包括以下步骤；将碳化硅衬底放入到水平式生长炉腔内，所述碳化硅外延片在碳化硅衬底上生长；在连续生长若干片后，将托盘放入到生长炉腔内，所述托盘由传动装置驱动进入生长炉腔内；所述托盘的气悬浮停止通气，使得所述托盘不旋转，通入氢气进行吹扫，将生长炉腔内稀松、易脱落的碳化硅颗粒吹扫到托盘上；使用传动装置将托盘从生长炉腔内取出，托盘中盛放有掉落的碳化硅颗粒，拿出无尘车间进行清理；继续碳化硅外延片的生产工作，继续使用原有工艺进行生产若干片，重复上述步骤对生长炉腔进行清理，本发明可以减少掉落物缺陷生成的概率，减少产品质量的缺陷，使得产品质量得到提升。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 有效 抑制 sic 外延 掉落 缺陷 生成 方法 | ||
【主权项】：
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