[发明专利]一种有效抑制SiC外延片掉落物缺陷生成的方法在审
| 申请号： | 202211028027.2 | 申请日： | 2022-08-25 |
| 公开（公告）号： | CN115386953A | 公开（公告）日： | 2022-11-25 |
| 发明（设计）人： | 冯禹;李云廷;刘丹;张会娟;李锡光 | 申请（专利权）人： | 东莞市天域半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | C30B25/20 | 分类号： | C30B25/20;C30B29/36;C30B25/12;B08B5/02 |
| 代理公司： | 广州市华学知识产权代理有限公司 44245 | 代理人： | 李盛洪 |
| 地址： | 523000 广东省东莞市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 有效 抑制 sic 外延 掉落 缺陷 生成 方法 | ||
1.一种有效抑制SiC外延片掉落物缺陷生成的方法，其特征在于：包括以下步骤；
步骤S1：将碳化硅衬底放入到水平式生长炉腔内，所述碳化硅外延片在碳化硅衬底上生长；
步骤S2：在连续生长若干片碳化硅外延片后，将托盘放入到生长炉腔内，所述托盘由传动装置驱动进入生长炉腔内；
步骤S3：所述托盘的气悬浮停止通气，使得所述托盘不旋转，通入氢气进行吹扫，将生长炉腔内稀松、易脱落的碳化硅颗粒吹扫到托盘上；
步骤S4：使用传动装置将托盘从生长炉腔内取出，所述托盘中盛放有掉落的碳化硅颗粒，拿出无尘车间进行清理；
步骤S5：所述生长炉腔内继续碳化硅外延片的生产工作，继续使用原有工艺进行生产若干片碳化硅外延片，再次重复步骤S2至步骤S4对生长炉腔进行清理。
2.根据权利要求1所述的一种有效抑制SiC外延片掉落物缺陷生成的方法，其特征在于：所述步骤S2中，所述生长炉腔内连续生长5片碳化硅外延片。
3.根据权利要求1所述的一种有效抑制SiC外延片掉落物缺陷生成的方法，其特征在于：所述步骤S5中，继续使用原有工艺进行生产5至10片碳化硅外延片。
4.根据权利要求1所述的一种有效抑制SiC外延片掉落物缺陷生成的方法，其特征在于：所述步骤S3中氢气吹扫的条件：在50mbar的低压条件下，吹扫温度在1500℃-1600℃之间，氢气的流量为130L，吹扫时间为15分钟。
5.根据权利要求1所述的一种有效抑制SiC外延片掉落物缺陷生成的方法，其特征在于：所述托盘为石墨材料构件。
6.根据权利要求5所述的一种有效抑制SiC外延片掉落物缺陷生成的方法，其特征在于：所述托盘包括与传动装置相连接的连接部(1)和用于收集碳化硅颗粒的放置板(2)。
7.根据权利要求6所述的一种有效抑制SiC外延片掉落物缺陷生成的方法，其特征在于：所述连接部(1)为倾斜的圆台状。
8.根据权利要求6所述的一种有效抑制SiC外延片掉落物缺陷生成的方法，其特征在于：所述放置板(2)两侧设有限位凸起(21)，所述限位凸起(21)用于阻止碳化硅颗粒水平移动。
9.根据权利要求1所述的一种有效抑制SiC外延片掉落物缺陷生成的方法，其特征在于：所述传动装置为机械手。
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