[发明专利]一种半导体靶材用超高纯铜锰铸锭的制备方法在审
| 申请号： | 202211005696.8 | 申请日： | 2022-08-22 |
| 公开（公告）号： | CN115338374A | 公开（公告）日： | 2022-11-15 |
| 发明（设计）人： | 易骛文;姚力军;潘杰 | 申请（专利权）人： | 宁波微泰真空技术有限公司 |
| 主分类号： | B22D7/00 | 分类号： | B22D7/00;C22B9/00;C22C1/02;C22C9/05 |
| 代理公司： | 北京远智汇知识产权代理有限公司 11659 | 代理人： | 徐浩 |
| 地址： | 315412 浙江省宁波市余姚市三七*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种半导体靶材用超高纯铜锰铸锭的制备方法，所述制备方法包括：首先将铜原料依次进行第一调压、第一升温、第二调压、第二升温和第三升温，得到铜液；将所述铜液进行第三调压，再加入锰原料，之后依次进行第四调压和第五调压，得到铜锰合金液；将所述铜锰合金液进行浇铸，得到所述半导体靶材用超高纯铜锰铸锭；所述第一调压的终点压力和第三调压的终点压力均小于第二调压的终点压力；所述第四调压的终点压力小于第五调压的终点压力。本发明提供制备方法有效地解决了铜锰合金铸锭生产过程中的元素偏析、铸锭内部缺陷、成材率低以及杂质含量超标等问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 靶材用超 高纯 铸锭 制备 方法 | ||
【主权项】：
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