[发明专利]一种硫化钴铜纳米片及制备方法有效

专利信息
申请号: 202211003223.4 申请日: 2022-08-22
公开(公告)号: CN115440503B 公开(公告)日: 2023-05-12
发明(设计)人: 朱归胜;郑志强;徐华蕊;王君;蒋坤朋;赵昀云 申请(专利权)人: 桂林电子科技大学
主分类号: H01G11/24 分类号: H01G11/24;H01G11/30;H01G11/86
代理公司: 桂林文必达专利代理事务所(特殊普通合伙) 45134 代理人: 白洪
地址: 541004 广西*** 国省代码: 广西;45
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摘要: 发明公开了一种超级电容器用的硫化钴铜纳米片材料及制备方法,所述硫化钴铜纳米片呈片状分级多孔结构,所述分级多孔结构由大孔径和介孔构成,大孔结构尺寸为167±30nm,介孔结构尺寸为2~15nm,所述硫化钴铜纳米片由9.5±1mmol的CuCl2·2H2O、15±1.5mmol的CoCl2·6H2O、12±1.2mmol的NH4F和18±2mmol的尿素经水热反应制得前驱体后再与过量的浓度为0.1M的Na2S·9H2O溶液反应制得。本发明在提升超级电容器性能的同时,使得制备方法简单化,利于降低电容器材料的生产成本。
搜索关键词: 一种 硫化 纳米 制备 方法
【主权项】:
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