[发明专利]一种硫化钴铜纳米片及制备方法有效
申请号: | 202211003223.4 | 申请日: | 2022-08-22 |
公开(公告)号: | CN115440503B | 公开(公告)日: | 2023-05-12 |
发明(设计)人: | 朱归胜;郑志强;徐华蕊;王君;蒋坤朋;赵昀云 | 申请(专利权)人: | 桂林电子科技大学 |
主分类号: | H01G11/24 | 分类号: | H01G11/24;H01G11/30;H01G11/86 |
代理公司: | 桂林文必达专利代理事务所(特殊普通合伙) 45134 | 代理人: | 白洪 |
地址: | 541004 广西*** | 国省代码: | 广西;45 |
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摘要: |
本发明公开了一种超级电容器用的硫化钴铜纳米片材料及制备方法,所述硫化钴铜纳米片呈片状分级多孔结构,所述分级多孔结构由大孔径和介孔构成,大孔结构尺寸为167±30nm,介孔结构尺寸为2~15nm,所述硫化钴铜纳米片由9.5±1mmol的CuCl |
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搜索关键词: | 一种 硫化 纳米 制备 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
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