[发明专利]一种SiC纳米线功能薄膜的制备方法在审
| 申请号： | 202211003031.3 | 申请日： | 2022-08-19 |
| 公开（公告）号： | CN115312373A | 公开（公告）日： | 2022-11-08 |
| 发明（设计）人： | 牛晓巍;刘雪冰;王紫暄;马馨宇;阳肖;杨兆滢;翟配郴;尉国栋 | 申请（专利权）人： | 沈阳大学 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;C23C14/04;C23C14/18;C23C14/30;C23C14/58;C30B5/02;C30B29/36;C30B29/62;C30B33/02;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 110000 辽*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种碳化硅纳米线功能薄膜的制备方法，包括以下步骤：以衬底为阴电极，铂片为阳电极；将电极放置碳化硅纳米线悬浮液中；施加电压并用磁力搅拌器对溶液进行搅拌，再结合化学镀镍、焊接和转移工艺，最终可以获得均匀且致密的碳化硅纳米线薄膜。该方法工艺简单，成本低，高效率且安全易操作，利于商业化大规模生产，且制备出的碳化硅纳米线薄膜集成了一维纳米线和薄膜的优点，且还具有大尺寸、大比表面积、可弯曲、无微管缺陷、均匀致密的优点。另外，本发明提供了一个有效的自下而上的组装纳米结构的方式，几乎对所有的低维纳米结构具有普适性，可以借鉴到其他半导体纳米薄膜的制备。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 sic 纳米 功能 薄膜 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
