[发明专利]一种硅异质结太阳能电池的正面非晶硅膜层沉积工艺

摘要

本发明涉及一种硅异质结太阳能电池的正面非晶硅膜层沉积工艺，包括以下步骤：制绒后的硅片经第一过渡腔环境切换后，进入到预热腔体预热；硅片通过第一转移腔进入到第一工艺腔进行本征层的预镀膜沉积；硅片通过第二转移腔进入到第二工艺腔进行非晶硅膜层沉积，非晶硅膜层沉积包括n‑1层镀膜沉积和N层镀膜沉积，在N层镀膜沉积前进行n‑1层镀膜沉积，所述n‑1层镀膜沉积分两步；非晶硅膜层镀膜沉积完成后的硅片通过第二过渡腔输送出设备。本发明在N层镀膜沉积前分两步进行n‑1层镀膜沉积，将膜层的均一性基本控制在5%以内，晶化率更加趋近于0%，效率提升0.02%—0.05%，膜层的均一性得到大大提高。