[发明专利]一种硅异质结太阳能电池的正面非晶硅膜层沉积工艺

说明书

本发明涉及一种硅异质结太阳能电池的正面非晶硅膜层沉积工艺，包括以下步骤：制绒后的硅片经第一过渡腔环境切换后，进入到预热腔体预热；硅片通过第一转移腔进入到第一工艺腔进行本征层的预镀膜沉积；硅片通过第二转移腔进入到第二工艺腔进行非晶硅膜层沉积，非晶硅膜层沉积包括n‑1层镀膜沉积和N层镀膜沉积，在N层镀膜沉积前进行n‑1层镀膜沉积，所述n‑1层镀膜沉积分两步；非晶硅膜层镀膜沉积完成后的硅片通过第二过渡腔输送出设备。本发明在N层镀膜沉积前分两步进行n‑1层镀膜沉积，将膜层的均一性基本控制在5%以内，晶化率更加趋近于0%，效率提升0.02%—0.05%，膜层的均一性得到大大提高。

技术领域

本发明涉及太阳能电池技术领域，具体涉及一种硅异质结太阳能电池的正面非晶硅膜层沉积工艺。

背景技术

单晶硅异质结太阳电池转换效率高，其中CVD工序的膜层沉积设计对其影响尤为重要。生产hit太阳能电池的核心工艺是双面i型非晶硅薄膜钝化及n、p掺杂技术，当前主要通过pecvd镀膜设备来实现，CVD镀膜的沉积时间决定膜层的均匀性。

当前CVD非晶硅层工艺沉积膜层主要由1步完成，该沉积步骤中保压4s和沉积时间18S；此设置下，膜层的均一性基本在5%—8%、晶化率保持在5%—10%；影响电学性能参数，导致转化效率Eta下降0.02%以上。因此，如何提供一种能提高CVD镀膜均匀性已成为业内亟待解决的技术问题。

发明内容

本发明的目的在于克服上述不足，提供了一种硅异质结太阳能电池的正面非晶硅膜层沉积工艺，在N层镀膜沉积前分两步进行n-1层镀膜沉积，在第2步n-1层镀膜沉积前增加了4s的腔体保压时间，2步完成镀膜时间虽然比1步镀膜时间延长了4s，但可以将膜层的均一性基本控制在5%以内，晶化率更加趋近于0%，效率提升0.02%—0.05%，膜层的均一性得到大大提高。

本发明的目的是这样实现的：

一种硅异质结太阳能电池的正面非晶硅膜层沉积工艺，包括以下步骤：

S1、制绒后的硅片经第一过渡腔环境切换后，进入到预热腔体预热；

S2、硅片通过第一转移腔进入到第一工艺腔进行本征层的预镀膜沉积；

S3、硅片通过第二转移腔进入到第二工艺腔进行非晶硅膜层沉积，非晶硅膜层沉积包括n-1层镀膜沉积和N层镀膜沉积，在N层镀膜沉积前进行n-1层镀膜沉积，所述n-1层镀膜沉积分两步，第1步采用保压4s，沉积时间10s；第2步采用保压4s，沉积时间8s；

S4、非晶硅膜层镀膜沉积完成后的硅片通过第二过渡腔输送出设备。

优选的，制绒后的硅片放置在载板上，经载板输送各腔。

优选的，所述步骤S1中的硅片为金字塔绒面结构，金字塔高度1.7-2.5μm，塔距2.5-3.5μm。

优选的，所述步骤S2和步骤S3中真空度维持在0.4-0.5MPa。

优选的，所述硅片放置在载板上进行转运，载板的材质是钛合金，载板粗糙度为Ra1.6-3.2um。

优选的，硅片在进入第一工艺腔、第二工艺腔前，分别需要在第一转移腔、第二转移腔内中转，各转移腔压力1200mtorr，恒温时间5min。

本发明的有益效果是：

本发明在N层镀膜沉积前分两步进行n-1层镀膜沉积，在第2步n-1层镀膜沉积前增加了4s的腔体保压时间，2步完成镀膜时间虽然比1步镀膜时间延长了4s，但可以将膜层的均一性基本控制在5%以内，晶化率更加趋近于0%，效率提升0.02%—0.05%，膜层的均一性得到大大提高。

附图说明

图1为本发明的工艺流程图。

具体实施方式

实施例1：

本发明涉及一种硅异质结太阳能电池的正面非晶硅膜层沉积工艺，