[发明专利]一种深紫外LED外延结构及其制备方法在审
| 申请号： | 202210986139.2 | 申请日： | 2022-08-17 |
| 公开（公告）号： | CN115148872A | 公开（公告）日： | 2022-10-04 |
| 发明（设计）人： | 蔡武;康建;杨天鹏;陈向东 | 申请（专利权）人： | 圆融光电科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/14 | 分类号： | H01L33/14;H01L33/06;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京高沃律师事务所 11569 | 代理人： | 霍苗 |
| 地址： | 243000 安徽省马鞍*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体结构技术领域，尤其涉及一种深紫外LED外延结构及其制备方法。本发明提供了一种深紫外LED外延结构，包括由下自上依次层叠设置的衬底、缓冲层、AlN本征层、应力调控层、电子注入层、电流扩散层、多量子阱有源层、复合电子阻挡层、空穴注入层和P型接触层；所述复合电子阻挡层包括由下自上依次层叠设置的第一AlGaN主体结构层、吸收层和第二AlGaN主体结构层。本发明所述深紫外LED外延结构具有较高的光电转化效率和老化寿命。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 深紫 led 外延 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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