[发明专利]一种深紫外LED外延结构及其制备方法

权利要求书

1.一种深紫外LED外延结构，其特征在于，包括由下自上依次层叠设置的衬底、缓冲层、AlN本征层、应力调控层、电子注入层、电流扩散层、多量子阱有源层、复合电子阻挡层、空穴注入层和P型接触层；

所述复合电子阻挡层包括由下自上依次层叠设置的第一AlGaN主体结构层、吸收层和第二AlGaN主体结构层。

2.如权利要求1所述的深紫外LED外延结构，其特征在于，所述第一AlGaN主体结构层和第二AlGaN主体结构层中Al的原子百分含量独立的为45％～75％。

3.如权利要求1或2所述的深紫外LED外延结构，其特征在于，所述第一AlGaN主体结构层和第二AlGaN主体结构层独立的为单层AlGaN层或交替层叠设置的超晶格层。

4.如权利要求3所述的深紫外LED外延结构，其特征在于，所述第一AlGaN主体结构层和第二AlGaN主体结构层的厚度≥5nm。

5.如权利要求1所述的深紫外LED外延结构，其特征在于，所述吸收层包括由下到上依次交替层叠设置的InGaN吸收层和AlGaN吸收层。

6.如权利要求5所述的深紫外LED外延结构，其特征在于，所述交替层叠设置的周期数为1～3。

7.如权利要求6所述的深紫外LED外延结构，其特征在于，所述InGaN吸收层的厚度为1～5nm；

所述InGaN吸收层中In的原子百分含量为1％～10％。

8.如权利要求6所述的深紫外LED外延结构，其特征在于，所述AlGaN吸收层的厚度为4～15nm；

所述AlGaN吸收层中Al的原子百分含量为45％～75％。

9.如权利要求8所述的深紫外LED外延结构，其特征在于，所述第一AlGaN主体结构层和第二AlGaN主体结构层中Al的原子百分含量均大于所述AlGaN吸收层中Al的原子百分含量。

10.权利要求1～9任一项所述的深紫外LED外延结构的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

在衬底的表面依次生长缓冲层、AlN本征层、应力调控层、电子注入层、电流扩散层、多量子阱有源层、复合电子阻挡层、空穴注入层和P型接触层后，进行退火处理，得到所述深紫外LED外延结构。